Infineon IMZ1 IMZ120R045M1XKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 1200 V / 52 A, 4-Pin TO-247-4
About The : 4.5V, Transistor-Werkstoff: Si
Infineon IMZ1 IMZ120R045M1XKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 1200 V / 52 A, 4-Pin TO-247-4, Drain-Source-Widerstand max.: 45 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4.5V, Transistor-Werkstoff: Si
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Infineon IMZ1 IMZ120R045M1XKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 1200 V / 52 A, 4-Pin TO-247-4
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Specifications of Infineon IMZ1 IMZ120R045M1XKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 1200 V / 52 A, 4-Pin TO-247-4 | |
|---|---|
| Category | |
| Instock | instock |
