Infineon OptiMOS 2 BSS816NWH6327XTSA1 N-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 1,4 A 500 MW, 3-Pin SOT-323
About The 75V, Gate-Schwellenspannung min.: 0
Infineon OptiMOS 2 BSS816NWH6327XTSA1 N-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 1,4 A 500 mW, 3-Pin SOT-323, Drain-Source-Widerstand max.: 240 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 0.75V, Gate-Schwellenspannung min.: 0.3V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: –8 V, +8 V, Länge: 2mm, Betriebstemperatur max.: +175 °C
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Infineon OptiMOS 2 BSS816NWH6327XTSA1 N-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 1,4 A 500 MW, 3-Pin SOT-323
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Specifications of Infineon OptiMOS 2 BSS816NWH6327XTSA1 N-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 1,4 A 500 MW, 3-Pin SOT-323 | |
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