Infineon IPA60R IPA60R099P7XKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 1200 V / 31 A, 3-Pin TO-220 FP, Drain-Source-Widerstand max.: 99 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4.5V, Transistor-Werkstoff: Si
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Infineon IPA60R IPA60R099P7XKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 1200 V / 31 A, 3-Pin TO-220 FP
Specifications of Infineon IPA60R IPA60R099P7XKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 1200 V / 31 A, 3-Pin TO-220 FP | |
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