Vishay SQ Rugged SQ2310ES-T1_BE3 N-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 6 A 2 W, 3-Pin SOT-23, Drain-Source-Widerstand max.: 54 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.: 0.4V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: –8 V, +8 V, Automobilstandard: AEC-Q101, Höhe: 1.02mm
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Vishay SQ Rugged SQ2310ES-T1_BE3 N-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 6 A 2 W, 3-Pin SOT-23
Specifications of Vishay SQ Rugged SQ2310ES-T1_BE3 N-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 6 A 2 W, 3-Pin SOT-23 | |
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