Vishay TrenchFET SIA447DJ-T1-GE3 P-Kanal, SMD MOSFET 12 V / 12 A 19 W, 6-Pin PowerPAK SC-70
About The : 0.: 71 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min
Vishay TrenchFET SIA447DJ-T1-GE3 P-Kanal, SMD MOSFET 12 V / 12 A 19 W, 6-Pin PowerPAK SC-70, Drain-Source-Widerstand max.: 71 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.: 0.4V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: –8 V, +8 V, Höhe: 0.8mm, Länge: 1.7mm
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Vishay TrenchFET SIA447DJ-T1-GE3 P-Kanal, SMD MOSFET 12 V / 12 A 19 W, 6-Pin PowerPAK SC-70
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Specifications of Vishay TrenchFET SIA447DJ-T1-GE3 P-Kanal, SMD MOSFET 12 V / 12 A 19 W, 6-Pin PowerPAK SC-70 | |
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