Infineon HEXFET IRFU3607PBF N-Kanal, THT MOSFET 75 V / 80 A 140 W, 3-Pin IPAK (TO-251)
About The : +175 °C.: 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max
Infineon HEXFET IRFU3607PBF N-Kanal, THT MOSFET 75 V / 80 A 140 W, 3-Pin IPAK (TO-251), Drain-Source-Widerstand max.: 9 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4V, Gate-Schwellenspannung min.: 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Länge: 6.73mm, Betriebstemperatur max.: +175 °C
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Infineon HEXFET IRFU3607PBF N-Kanal, THT MOSFET 75 V / 80 A 140 W, 3-Pin IPAK (TO-251)
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Specifications of Infineon HEXFET IRFU3607PBF N-Kanal, THT MOSFET 75 V / 80 A 140 W, 3-Pin IPAK (TO-251) | |
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