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Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder
Passive Bauelemente
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Wurth Elektronik 4 W 620 Ferrit Ringkern, 21 X 13 X 12mm, EMI Unterdrückung

About The Wurth Elektronik 4 W 620 Ferrit Ringkern, 21 x 13 x 12mm, EMI Unterdrückung, Innendurchmesser: 13mm, Außendurchmesser: 21mm, MPN: 74270120

Wurth Elektronik 4 W 620 Ferrit Ringkern, 21 x 13 x 12mm, EMI Unterdrückung, Innendurchmesser: 13mm, Außendurchmesser: 21mm, MPN: 74270120

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Wurth Elektronik 4 W 620 Ferrit Ringkern, 21 X 13 X 12mm, EMI Unterdrückung

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Specifications of Wurth Elektronik 4 W 620 Ferrit Ringkern, 21 X 13 X 12mm, EMI Unterdrückung

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Wurth Elektronik 4 W 620 Ferrit Ringkern, 21 X 13 X 12mm, EMI Unterdrückung
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Passive Bauelemente
EMV-Filter und -Schutz

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Bourns AVHT Varistor, 2nF, 27V, 17V, Metall / 2.5A, 1210 (3225M) Gehäuse

Bourns AVHT Varistor, 2nF, 27V, 17V, Metall / 2.5A, 1210 (3225M) Gehäuse

Bourns AVHT Varistor, 2nF, 27V, 17V, Metall / 2.

  • Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder
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    • STMicroelectronics SMD Schottky Diode, 45V / 10A, 8-Pin PowerFLAT

    STMicroelectronics SMD Schottky Diode, 45V / 10A, 8-Pin PowerFLAT

    STMicroelectronics SMD Schottky Diode, 45V / 10A, 8-Pin PowerFLAT, Diodenkonfiguration: Einfach, Gleichrichter-Typ: Schottky-Diode, Stoßstrom-Grenzwert nichtperiodisch: 100A, MPN: STPS1045DEE-TR.

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    • Bourns AVHT Varistor, 3.8nF, 27V, 17V, Metall / 5A, 1812 (4532M) Gehäuse

    Bourns AVHT Varistor, 3.8nF, 27V, 17V, Metall / 5A, 1812 (4532M) Gehäuse

    8nF, 27V, 17V, Metall / 5A, 1812 (4532M) Gehäuse, Gleichspannung max.: 20V, Klemm-Spannung: 44V, MPN: AV17K1812801NIR1HT.

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    • Infineon HEXFET IRF1010NSTRLPBF N-Kanal, SMD MOSFET 55 V / 85 A 180 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)

    Infineon HEXFET IRF1010NSTRLPBF N-Kanal, SMD MOSFET 55 V / 85 A 180 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)

    : 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: +175 °C.: -20 V, +20 V, Länge: 10.

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    • Infineon HEXFET IRF1010NSTRLPBF N-Kanal, SMD MOSFET 55 V / 85 A 180 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)

    Infineon HEXFET IRF1010NSTRLPBF N-Kanal, SMD MOSFET 55 V / 85 A 180 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)

    67mm, Betriebstemperatur max.: 4V, Gate-Schwellenspannung min.: +175 °C.

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