Infineon HEXFET IRFS7730TRL7PP N-Kanal, SMD MOSFET 75 V / 269 A, 7-Pin D2PAK-7
About The : 0,002 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.7V, Anzahl der Elemente pro Chip: 1, Transistor-Werkstoff: Si
Infineon HEXFET IRFS7730TRL7PP N-Kanal, SMD MOSFET 75 V / 269 A, 7-Pin D2PAK-7, Drain-Source-Widerstand max.: 0,002 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 3.7V, Anzahl der Elemente pro Chip: 1, Transistor-Werkstoff: Si
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Infineon HEXFET IRFS7730TRL7PP N-Kanal, SMD MOSFET 75 V / 269 A, 7-Pin D2PAK-7
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Specifications of Infineon HEXFET IRFS7730TRL7PP N-Kanal, SMD MOSFET 75 V / 269 A, 7-Pin D2PAK-7 | |
|---|---|
| Category | |
| Instock | instock |
