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Onsemi NTMFS006N NTMFS006N12MCT1G N-Kanal, SMD MOSFET 120 V / 93 A, 5-Pin DFN

About The : 4V, Transistor-Werkstoff: Si.: 0,006 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max

onsemi NTMFS006N NTMFS006N12MCT1G N-Kanal, SMD MOSFET 120 V / 93 A, 5-Pin DFN, Drain-Source-Widerstand max.: 0,006 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4V, Transistor-Werkstoff: Si

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Onsemi NTMFS006N NTMFS006N12MCT1G N-Kanal, SMD MOSFET 120 V / 93 A, 5-Pin DFN

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Specifications of Onsemi NTMFS006N NTMFS006N12MCT1G N-Kanal, SMD MOSFET 120 V / 93 A, 5-Pin DFN

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Onsemi NTMFS006N NTMFS006N12MCT1G N-Kanal, SMD MOSFET 120 V / 93 A, 5-Pin DFN
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onsemi IGBT / 75 A ±20V max., 650 V 375 W, 3-Pin TO-247 N-Kanal

onsemi IGBT / 75 A ±20V max., 650 V 375 W, 3-Pin TO-247 N-Kanal

, 650 V 375 W, 3-Pin TO-247 N-Kanal, MPN: AFGHL75T65SQ.

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    • Pegler Yorkshire Absperrhahn BSPT3/4 20 bar max.

    Pegler Yorkshire Absperrhahn BSPT3/4 20 bar max.

    95mm Bronze, 3/4Zoll.95mm Bronze, 3/4Zoll, Gewinde, Fitting Typ: BSPT Innengewinde, MPN: 103008 Pegler Yorkshire Absperrhahn BSPT3/4 20 bar max.

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    onsemi NTH4LN019N NTH4LN019N65S3H N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 75 A, 4-Pin TO-247-4

    : 0,0193 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.onsemi NTH4LN019N NTH4LN019N65S3H N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 75 A, 4-Pin TO-247-4, Drain-Source-Widerstand max.

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    onsemi NTH4LN019N NTH4LN019N65S3H N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 75 A, 4-Pin TO-247-4, Drain-Source-Widerstand max.: 0,0193 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4V, Transistor-Werkstoff: Si.

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