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Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder
Halbleiter
Stromversorgung
Spannungsüberwachung
Texas Instruments

Texas Instruments LM5050MK-2/NOPB Spannungsregler, O-Ring FET-Controller, 12 V / 265μA, SOT-23 6-Pin

About The : 6 V, Betriebstemperatur min.75 x 1mm, Länge: 3

Texas Instruments LM5050MK-2/NOPB Spannungsregler, O-Ring FET-Controller, 12 V / 265μA, SOT-23 6-Pin, Montage-Typ: SMD, Abmessungen: 3.05 x 1.75 x 1mm, Länge: 3.05mm, Breite: 1.75mm, Eingangsspannung max.: 75 V, Betriebstemperatur max.: +125 °C, Ausgangsstrom max.: 265µA, Eingangsspannung min.: 6 V, Betriebstemperatur min.: -40 °C

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Texas Instruments LM5050MK-2/NOPB Spannungsregler, O-Ring FET-Controller, 12 V / 265μA, SOT-23 6-Pin

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Specifications of Texas Instruments LM5050MK-2/NOPB Spannungsregler, O-Ring FET-Controller, 12 V / 265μA, SOT-23 6-Pin

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Texas Instruments LM5050MK-2/NOPB Spannungsregler, O-Ring FET-Controller, 12 V / 265μA, SOT-23 6-Pin
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Halbleiter
Stromversorgung

Rating :- 9.12 /10
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Wera VDE 6,5 mm Schlitz Isolierter Schraubendreher, 305 mm / Klinge 200 mm

Wera VDE 6,5 mm Schlitz Isolierter Schraubendreher, 305 mm / Klinge 200 mm

Wera VDE 6,5 mm Schlitz Isolierter Schraubendreher, 305 mm / Klinge 200 mm, VDE 1000V zugelassen: Ja, MPN: 05006126001.

  • Mechanik & Fluidtechnik und Werkzeuge
  • Handwerkzeuge
  • Schraubendreher & Sechskant- & TORX®-Schlüssel
  • Schraubendreher
  • Wera
    • EPCOS B82721A Netzleitungsdrossel, Ferrit-Kern, 400 μH, ±30%, 3.6A, Radial / R-DC 35mΩ x 12.6mm

    EPCOS B82721A Netzleitungsdrossel, Ferrit-Kern, 400 μH, ±30%, 3.6A, Radial / R-DC 35mΩ x 12.6mm

    7mm, Betriebstemperatur max.6mm, Anschlussraster: 10 mm, 15 mm, Anschlussdurchmesser: 0.9 x 12.: -40°C, MPN: B82721A2362N001.

  • Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder
  • Passive Bauelemente
  • Induktivitäten
  • Induktivitäten bedrahtet
  • EPCOS
    • Infineon OptiMOS P BSS223PWH6327XTSA1 P-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 310 mA 250 mW, 3-Pin SOT-323

    Infineon OptiMOS P BSS223PWH6327XTSA1 P-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 310 mA 250 mW, 3-Pin SOT-323

    2V, Gate-Schwellenspannung min.: 2,1 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 0.

  • Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder
  • Halbleiter
  • Diskrete Halbleiter
  • MOSFET
  • Infineon
    • Infineon SIPMOS BSS131H6327XTSA1 N-Kanal, SMD MOSFET 240 V / 110 mA 360 mW, 3-Pin SOT-23

    Infineon SIPMOS BSS131H6327XTSA1 N-Kanal, SMD MOSFET 240 V / 110 mA 360 mW, 3-Pin SOT-23

    Infineon SIPMOS BSS131H6327XTSA1 N-Kanal, SMD MOSFET 240 V / 110 mA 360 mW, 3-Pin SOT-23, Drain-Source-Widerstand max.

  • Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder
  • Halbleiter
  • Diskrete Halbleiter
  • MOSFET
  • Infineon
    • Infineon SIPMOS BSS131H6327XTSA1 N-Kanal, SMD MOSFET 240 V / 110 mA 360 mW, 3-Pin SOT-23

    Infineon SIPMOS BSS131H6327XTSA1 N-Kanal, SMD MOSFET 240 V / 110 mA 360 mW, 3-Pin SOT-23

    : 0.9mm, Betriebstemperatur max.Infineon SIPMOS BSS131H6327XTSA1 N-Kanal, SMD MOSFET 240 V / 110 mA 360 mW, 3-Pin SOT-23, Drain-Source-Widerstand max.: 20 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.

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  • Halbleiter
  • Diskrete Halbleiter
  • MOSFET
  • Infineon