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Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder
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Nexperia PSMN5R0-30YL,115 N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 91 A 61 W, 4-Pin LFPAK, SOT-669

About The : 5 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.1mm

Nexperia PSMN5R0-30YL,115 N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 91 A 61 W, 4-Pin LFPAK, SOT-669, Drain-Source-Widerstand max.: 5 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2.15V, Gate-Schwellenspannung min.: 1.3V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Höhe: 1.1mm

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Nexperia PSMN5R0-30YL,115 N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 91 A 61 W, 4-Pin LFPAK, SOT-669

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Specifications of Nexperia PSMN5R0-30YL,115 N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 91 A 61 W, 4-Pin LFPAK, SOT-669

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Nexperia PSMN5R0-30YL,115 N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 91 A 61 W, 4-Pin LFPAK, SOT-669
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Rating :- 9.55 /10
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SKF Einreihiges Rillenkugellager Kugellager 1-reihig, Innen-Ø 25mm / Außen-Ø 62mm, Breite 17mm Offene Bauweise

SKF Einreihiges Rillenkugellager Kugellager 1-reihig, Innen-Ø 25mm / Außen-Ø 62mm, Breite 17mm Offene Bauweise

SKF Einreihiges Rillenkugellager Kugellager 1-reihig, Innen-Ø 25mm / Außen-Ø 62mm, Breite 17mm Offene Bauweise, Lagerspiel: C4, Material: Stahl, Käfigmaterial: Nichtmetallisch, Statische Traglast: 11.

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    • LDK 53mm Kohlenstoffstahl Gelenkkopf, Wellen-Ø 8mm, M8 Male, Traglast bis 5.4kN

    LDK 53mm Kohlenstoffstahl Gelenkkopf, Wellen-Ø 8mm, M8 Male, Traglast bis 5.4kN

    9kN, Anschluss - Gewindestandard: Metrisch, Gender: Stecker, MPN: POS 8L.LDK 53mm Kohlenstoffstahl Gelenkkopf, Wellen-Ø 8mm, M8 Male, Traglast bis 5.4kN, Statische Traglast: 8.

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    0 to 10/100 Ethernet Hub Customer Eval Board, MPN: EVB9514.Microchip Entwicklungstool Kommunikation und Drahtlos, Kit-Klassifizierung: Evaluierungsbausatz, Vorgestelltes Gerät: LAN9513/14, Kit-Name: High-Speed USB 2.

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    • onsemi UniFET FDPF51N25 N-Kanal, THT MOSFET 250 V / 51 A 38 W, 3-Pin TO-220F

    onsemi UniFET FDPF51N25 N-Kanal, THT MOSFET 250 V / 51 A 38 W, 3-Pin TO-220F

    : -30 V, +30 V, Länge: 10.onsemi UniFET FDPF51N25 N-Kanal, THT MOSFET 250 V / 51 A 38 W, 3-Pin TO-220F, Drain-Source-Widerstand max.36mm, Betriebstemperatur max.

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    : 3V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: +150 °C.onsemi UniFET FDPF51N25 N-Kanal, THT MOSFET 250 V / 51 A 38 W, 3-Pin TO-220F, Drain-Source-Widerstand max.

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