Renesas Electronics RJK0656DPB-00#J5 N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 40 A, 4-Pin LFPAK, SOT-669
About The 5V, Anzahl der Elemente pro Chip: 1, Transistor-Werkstoff: Silicon.Renesas Electronics RJK0656DPB-00#J5 N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 40 A, 4-Pin LFPAK, SOT-669, Drain-Source-Widerstand max
Renesas Electronics RJK0656DPB-00#J5 N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 40 A, 4-Pin LFPAK, SOT-669, Drain-Source-Widerstand max.: 0,0056 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2.5V, Anzahl der Elemente pro Chip: 1, Transistor-Werkstoff: Silicon
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Renesas Electronics RJK0656DPB-00#J5 N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 40 A, 4-Pin LFPAK, SOT-669
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Specifications of Renesas Electronics RJK0656DPB-00#J5 N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 40 A, 4-Pin LFPAK, SOT-669 | |
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