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Infineon IPD60R600P7SAUMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 6 A, 3-Pin DPAK (TO-252)

About The : 600 mO, Gate-Schwellenspannung max.

Infineon IPD60R600P7SAUMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 6 A, 3-Pin DPAK (TO-252), Drain-Source-Widerstand max.: 600 mO, Gate-Schwellenspannung max.: 4V

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Infineon IPD60R600P7SAUMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 6 A, 3-Pin DPAK (TO-252)

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Specifications of Infineon IPD60R600P7SAUMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 6 A, 3-Pin DPAK (TO-252)

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Infineon IPD60R600P7SAUMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 6 A, 3-Pin DPAK (TO-252)
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