Renesas Electronics HFA3101BZ SMD, NPN Transistor Hex 8 V / 30 MA 10000 MHz, SOIC 8-Pin
About The : 5,5 V, Anzahl der Elemente pro Chip: 6, Abmessungen: 1.: +85 °C
Renesas Electronics HFA3101BZ SMD, NPN Transistor Hex 8 V / 30 mA 10000 MHz, SOIC 8-Pin, Transistor-Konfiguration: Komplex, Kollektor-Basis-Spannung max.: 12 V, Basis-Emitter Spannung max.: 5,5 V, Anzahl der Elemente pro Chip: 6, Abmessungen: 1.5 x 5 x 4mm, Betriebstemperatur max.: +85 °C
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > Bipolare Transistoren
Renesas Electronics HFA3101BZ SMD, NPN Transistor Hex 8 V / 30 MA 10000 MHz, SOIC 8-Pin
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Specifications of Renesas Electronics HFA3101BZ SMD, NPN Transistor Hex 8 V / 30 MA 10000 MHz, SOIC 8-Pin | |
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