reorder
ALWAYS Be Happy search home
c
Combo Blog
Categories
Play Games New
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder
Halbleiter
Diskrete Halbleiter
MOSFET
Infineon

Infineon CoolMOS™ P7 N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 44 A, 8-Pin HSOF-8

About The : 0,05 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4V, Anzahl der Elemente pro Chip: 1, Transistor-Werkstoff: Si, MPN: IPT60R050G7XTMA1

Infineon CoolMOS™ P7 N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 44 A, 8-Pin HSOF-8, Drain-Source-Widerstand max.: 0,05 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4V, Anzahl der Elemente pro Chip: 1, Transistor-Werkstoff: Si, MPN: IPT60R050G7XTMA1

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

Infineon CoolMOS™ P7 N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 44 A, 8-Pin HSOF-8

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

Specifications of Infineon CoolMOS™ P7 N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 44 A, 8-Pin HSOF-8

Category
Instockinstock

Last Updated

Infineon CoolMOS™ P7 N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 44 A, 8-Pin HSOF-8
More Varieties

Rating :- 9.6 /10
Votes :- 7