Infineon HEXFET N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 522 A, 7-Pin D2PAK (TO-263)
About The .: 0,00075 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max
Infineon HEXFET N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 522 A, 7-Pin D2PAK (TO-263), Drain-Source-Widerstand max.: 0,00075 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 5V, Anzahl der Elemente pro Chip: 1, Transistor-Werkstoff: Si, MPN: AUIRFS8409-7TRL
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Infineon HEXFET N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 522 A, 7-Pin D2PAK (TO-263)
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Specifications of Infineon HEXFET N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 522 A, 7-Pin D2PAK (TO-263) | |
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