IXYS GigaMOS, HiperFET MMIX1F180N25T N-Kanal, SMD MOSFET 250 V / 132 A 570 W, 24-Pin SMPD
About The : 5V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.IXYS GigaMOS, HiperFET MMIX1F180N25T N-Kanal, SMD MOSFET 250 V / 132 A 570 W, 24-Pin SMPD, Drain-Source-Widerstand max
IXYS GigaMOS, HiperFET MMIX1F180N25T N-Kanal, SMD MOSFET 250 V / 132 A 570 W, 24-Pin SMPD, Drain-Source-Widerstand max.: 13 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 5V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -30 V, +30 V, Länge: 25.25mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
IXYS GigaMOS, HiperFET MMIX1F180N25T N-Kanal, SMD MOSFET 250 V / 132 A 570 W, 24-Pin SMPD
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Specifications of IXYS GigaMOS, HiperFET MMIX1F180N25T N-Kanal, SMD MOSFET 250 V / 132 A 570 W, 24-Pin SMPD | |
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