STMicroelectronics STripFET H7 STL60N10F7 N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 60 A 5 W, 8-Pin PowerFLAT 5 X 6
About The : 16,5 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2
STMicroelectronics STripFET H7 STL60N10F7 N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 60 A 5 W, 8-Pin PowerFLAT 5 x 6, Drain-Source-Widerstand max.: 16,5 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4.5V, Gate-Schwellenspannung min.: 2.5V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Länge: 5.4mm, Betriebstemperatur max.: +175 °C
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
STMicroelectronics STripFET H7 STL60N10F7 N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 60 A 5 W, 8-Pin PowerFLAT 5 X 6
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Specifications of STMicroelectronics STripFET H7 STL60N10F7 N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 60 A 5 W, 8-Pin PowerFLAT 5 X 6 | |
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