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Siemens

Siemens Trennschalter 3-polig 20A Grau 400V Ac 3-phasig 3 Schließer

About The .: +40°C, Betriebstemperatur min

Siemens Trennschalter 3-polig 20A Grau 400V ac 3-phasig 3 Schließer, Hilfsschalter verfügbar: Ja, Schaltleistung: 10kA, Länge: 90mm, Breite: 18mm, Tiefe: 70mm, Betriebstemperatur max.: +40°C, Betriebstemperatur min.: -5°C, Anschlussart: Schraub, MPN: 5TE8113

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Siemens Trennschalter 3-polig 20A Grau 400V Ac 3-phasig 3 Schließer

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Specifications of Siemens Trennschalter 3-polig 20A Grau 400V Ac 3-phasig 3 Schließer

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Siemens Trennschalter 3-polig 20A Grau 400V Ac 3-phasig 3 Schließer
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TE Connectivity Dickschicht SMD Festwiderstand 1% / 2W, 1020 Gehäuse

TE Connectivity Dickschicht SMD Festwiderstand 1% / 2W, 1020 Gehäuse

TE Connectivity Dickschicht SMD Festwiderstand 1% / 2W, 1020 Gehäuse, MPN: 3430H2F2R0TE.

  • Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder
  • Passive Bauelemente
  • Festwiderstände
  • SMD-Widerstände
  • TE Connectivity
    • KEMET T591, SMD Polymerkondensator 33μF ±20% / 6.3V dc

    KEMET T591, SMD Polymerkondensator 33μF ±20% / 6.3V dc

    3V dc, Kapazität: 33µF, Materialfamilie des Dielektrikums: Tantal, Spannung: 6.3V dc, Montageart: Oberflächenmontage, Gehäuse-Form: 3528-21, Elektrolyt-Typ: Fest, MPN: T591B336M006ATE070.KEMET T591, SMD Polymerkondensator 33μF ±20% / 6.

  • Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder
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  • Polymerkondensatoren
  • KEMET
    • onsemi 2N7002K N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 300 mA 350 mW, 3-Pin SOT-23

    onsemi 2N7002K N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 300 mA 350 mW, 3-Pin SOT-23

    : 1V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.92mm, Betriebstemperatur max.

  • Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder
  • Halbleiter
  • Diskrete Halbleiter
  • MOSFET
  • onsemi
    • onsemi 2N5551 THT, NPN Transistor 160 V / 600 mA 100 MHz, TO-92 3-Pin

    onsemi 2N5551 THT, NPN Transistor 160 V / 600 mA 100 MHz, TO-92 3-Pin

    : 625 mW, Transistor-Konfiguration: Einfach, Kollektor-Basis-Spannung max.33mm, Betriebstemperatur max.

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  • Halbleiter
  • Diskrete Halbleiter
  • Bipolare Transistoren
  • onsemi
    • onsemi 2N5551 THT, NPN Transistor 160 V / 600 mA 100 MHz, TO-92 3-Pin

    onsemi 2N5551 THT, NPN Transistor 160 V / 600 mA 100 MHz, TO-92 3-Pin

    2 x 4.: 180 V, Basis-Emitter Spannung max.: 6 V, Abmessungen: 5.onsemi 2N5551 THT, NPN Transistor 160 V / 600 mA 100 MHz, TO-92 3-Pin, Verlustleistung max.

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