Onsemi 2N6491G THT, PNP Transistor –80 V / –15 A 1 MHz, TO-220 3-Pin
About The onsemi 2N6491G THT, PNP Transistor –80 V / –15 A 1 MHz, TO-220 3-Pin, Verlustleistung max.: +150 °C
onsemi 2N6491G THT, PNP Transistor –80 V / –15 A 1 MHz, TO-220 3-Pin, Verlustleistung max.: 75 W, Transistor-Konfiguration: Einfach, Kollektor-Basis-Spannung max.: 90 V Gleichstrom, Basis-Emitter Spannung max.: 5 V, Abmessungen: 10.28 x 4.82 x 15.75mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > Bipolare Transistoren
Onsemi 2N6491G THT, PNP Transistor –80 V / –15 A 1 MHz, TO-220 3-Pin
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > Bipolare Transistoren
Specifications of Onsemi 2N6491G THT, PNP Transistor –80 V / –15 A 1 MHz, TO-220 3-Pin | |
|---|---|
| Category | |
| Instock | instock |
