Onsemi NTMJS1D6N06CLTWG N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 250 A 167 W, 8-Pin LFPAK8
About The : 2,3 m Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max
onsemi NTMJS1D6N06CLTWG N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 250 A 167 W, 8-Pin LFPAK8, Drain-Source-Widerstand max.: 2,3 m Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2V, Gate-Schwellenspannung min.: 1.2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: ±20 V
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Onsemi NTMJS1D6N06CLTWG N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 250 A 167 W, 8-Pin LFPAK8
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Specifications of Onsemi NTMJS1D6N06CLTWG N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 250 A 167 W, 8-Pin LFPAK8 | |
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