Nexperia PSMN1R7-30YL,115 N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 100 A 109 W, 4-Pin LFPAK, SOT-669
About The 3V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Länge: 5mm, Betriebstemperatur max
Nexperia PSMN1R7-30YL,115 N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 100 A 109 W, 4-Pin LFPAK, SOT-669, Drain-Source-Widerstand max.: 2,4 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2.15V, Gate-Schwellenspannung min.: 1.3V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Länge: 5mm, Betriebstemperatur max.: +175 °C
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Nexperia PSMN1R7-30YL,115 N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 100 A 109 W, 4-Pin LFPAK, SOT-669
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Specifications of Nexperia PSMN1R7-30YL,115 N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 100 A 109 W, 4-Pin LFPAK, SOT-669 | |
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