Toshiba U-MOSVIII-H TPN11003NL,LQ(S N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 31 A 19 W, 8-Pin TSON
About The : 2.: 16 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max
Toshiba U-MOSVIII-H TPN11003NL,LQ(S N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 31 A 19 W, 8-Pin TSON, Drain-Source-Widerstand max.: 16 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2.3V, Gate-Schwellenspannung min.: 1.3V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Länge: 3.1mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Toshiba U-MOSVIII-H TPN11003NL,LQ(S N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 31 A 19 W, 8-Pin TSON
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Specifications of Toshiba U-MOSVIII-H TPN11003NL,LQ(S N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 31 A 19 W, 8-Pin TSON | |
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