onsemi PowerTrench FDMC86139P P-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 4,4 A 40 W, 8-Pin Leistung 33, Drain-Source-Widerstand max.: 104 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.: 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: –25 V, +25 V, Länge: 3.3mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C
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Onsemi PowerTrench FDMC86139P P-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 4,4 A 40 W, 8-Pin Leistung 33
Specifications of Onsemi PowerTrench FDMC86139P P-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 4,4 A 40 W, 8-Pin Leistung 33 | |
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