Infineon CoolMOS P7 IPS80R900P7AKMA1 N-Kanal, THT MOSFET 800 V / 6 A, 3-Pin IPAK (TO-251)
About The : 3.Infineon CoolMOS P7 IPS80R900P7AKMA1 N-Kanal, THT MOSFET 800 V / 6 A, 3-Pin IPAK (TO-251), Drain-Source-Widerstand max
Infineon CoolMOS P7 IPS80R900P7AKMA1 N-Kanal, THT MOSFET 800 V / 6 A, 3-Pin IPAK (TO-251), Drain-Source-Widerstand max.: 0,9 O, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 3.5V, Transistor-Werkstoff: Si
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Infineon CoolMOS P7 IPS80R900P7AKMA1 N-Kanal, THT MOSFET 800 V / 6 A, 3-Pin IPAK (TO-251)
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Specifications of Infineon CoolMOS P7 IPS80R900P7AKMA1 N-Kanal, THT MOSFET 800 V / 6 A, 3-Pin IPAK (TO-251) | |
|---|---|
| Category | |
| Instock | instock |
