STMicroelectronics MDmesh M5 STP16N65M5 N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 12 A 90 W, 3-Pin TO-220
About The : 299 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: +25 V, Höhe: 9
STMicroelectronics MDmesh M5 STP16N65M5 N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 12 A 90 W, 3-Pin TO-220, Montage-Typ: Durchsteckmontage, Drain-Source-Widerstand max.: 299 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 5V, Gate-Schwellenspannung min.: 3V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: +25 V, Höhe: 9.15mm
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
STMicroelectronics MDmesh M5 STP16N65M5 N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 12 A 90 W, 3-Pin TO-220
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Specifications of STMicroelectronics MDmesh M5 STP16N65M5 N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 12 A 90 W, 3-Pin TO-220 | |
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