Infineon OptiMOS-T IPB50N12S3L15ATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 120 V / 50 A, 3-Pin D2PAK (TO-263)
About The 4V, Transistor-Werkstoff: Si.Infineon OptiMOS-T IPB50N12S3L15ATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 120 V / 50 A, 3-Pin D2PAK (TO-263), Drain-Source-Widerstand max
Infineon OptiMOS-T IPB50N12S3L15ATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 120 V / 50 A, 3-Pin D2PAK (TO-263), Drain-Source-Widerstand max.: 0,0154 O, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2.4V, Transistor-Werkstoff: Si
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Infineon OptiMOS-T IPB50N12S3L15ATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 120 V / 50 A, 3-Pin D2PAK (TO-263)
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Specifications of Infineon OptiMOS-T IPB50N12S3L15ATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 120 V / 50 A, 3-Pin D2PAK (TO-263) | |
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