EPCOS B82462-G4 SMD Induktivität, 330 μH 590mA AEC-Q200 Mit Ferrit-Kern 10.4mm / ±20%, 3.2MHz
About The : 650mΩ, Induktivitätsbauweise: Drahtgewickelt, Betriebstemperatur max.4mm / ±20%, 3
EPCOS B82462-G4 SMD Induktivität, 330 μH 590mA AEC-Q200 mit Ferrit-Kern 10.4mm / ±20%, 3.2MHz, Höhe: 4.8mm, Abmessungen: 10.4 x 10.4 x 4.8mm, Geschirmt: Ja, Gleichstromwiderstand max.: 650mΩ, Induktivitätsbauweise: Drahtgewickelt, Betriebstemperatur max.: +150°C, MPN: B82464G4334M000
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Passive Bauelemente > Induktivitäten > SMD-Induktivität
EPCOS B82462-G4 SMD Induktivität, 330 μH 590mA AEC-Q200 Mit Ferrit-Kern 10.4mm / ±20%, 3.2MHz
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Passive Bauelemente > Induktivitäten > SMD-Induktivität
Specifications of EPCOS B82462-G4 SMD Induktivität, 330 μH 590mA AEC-Q200 Mit Ferrit-Kern 10.4mm / ±20%, 3.2MHz | |
|---|---|
| Category | |
| Instock | instock |
