Infineon CoolMOS C7 IPW65R019C7FKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 700 V / 75 A 446 W, 3-Pin TO-247
About The : 19 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.
Infineon CoolMOS C7 IPW65R019C7FKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 700 V / 75 A 446 W, 3-Pin TO-247, Drain-Source-Widerstand max.: 19 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -30 V, +30 V, Länge: 16.13mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Infineon CoolMOS C7 IPW65R019C7FKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 700 V / 75 A 446 W, 3-Pin TO-247
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Specifications of Infineon CoolMOS C7 IPW65R019C7FKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 700 V / 75 A 446 W, 3-Pin TO-247 | |
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