Vishay E Series SiHF30N60E-GE3 N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 29 A 37 W, 3-Pin TO-220FP, Drain-Source-Widerstand max.: 125 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.: 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -30 V, +30 V, Länge: 10.63mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C
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Vishay E Series SiHF30N60E-GE3 N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 29 A 37 W, 3-Pin TO-220FP
Specifications of Vishay E Series SiHF30N60E-GE3 N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 29 A 37 W, 3-Pin TO-220FP | |
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