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RS PRO Mikroschalter Langhebel Gerade-Betätiger Schnellverbindung, 16 A Bei 250 V AC, SPDT IP 40 70g -55°C - +85°C

About The RS PRO Mikroschalter Langhebel gerade-Betätiger Schnellverbindung, 16 A bei 250 V AC, SPDT IP 40 70g -55°C - +85°C, Kontaktmaterial: Versilbert/versilbert, Gehäusematerial: Thermoplast, glasfaserverstärkt, Lebensdauer mechanisch: 1000000Operations, Schalt-Lösekraft: 6g, Nennspannung: 250V

RS PRO Mikroschalter Langhebel gerade-Betätiger Schnellverbindung, 16 A bei 250 V AC, SPDT IP 40 70g -55°C - +85°C, Kontaktmaterial: Versilbert/versilbert, Gehäusematerial: Thermoplast, glasfaserverstärkt, Lebensdauer mechanisch: 1000000Operations, Schalt-Lösekraft: 6g, Nennspannung: 250V

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Specifications of RS PRO Mikroschalter Langhebel Gerade-Betätiger Schnellverbindung, 16 A Bei 250 V AC, SPDT IP 40 70g -55°C - +85°C

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Infineon IPL60R IPL60R075CFD7AUMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 33 A, 5-Pin ThinPAK 8 x 8
  • Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder
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    • STMicroelectronics RFID- und NCF-Transceiver AM, TSSOP 64-Pin 5x5mm SMD

    STMicroelectronics RFID- und NCF-Transceiver AM, TSSOP 64-Pin 5x5mm SMD

    STMicroelectronics RFID- und NCF-Transceiver AM, TSSOP 64-Pin 5x5mm SMD, MPN: ST25R3917B-AQWT.

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    • Infineon IPD50R IPD50R800CEAUMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 500 V / 5 A, 3-Pin DPAK (TO-252)

    Infineon IPD50R IPD50R800CEAUMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 500 V / 5 A, 3-Pin DPAK (TO-252)

    Infineon IPD50R IPD50R800CEAUMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 500 V / 5 A, 3-Pin DPAK (TO-252), Drain-Source-Widerstand max.5V, Transistor-Werkstoff: Si.: 800 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 3.

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    • Infineon IPB65R IPB65R045C7ATMA2 N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 46 A, 3-Pin D2PAK (TO-263)

    Infineon IPB65R IPB65R045C7ATMA2 N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 46 A, 3-Pin D2PAK (TO-263)

    : 45 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.Infineon IPB65R IPB65R045C7ATMA2 N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 46 A, 3-Pin D2PAK (TO-263), Drain-Source-Widerstand max.

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    Infineon IPB65R IPB65R045C7ATMA2 N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 46 A, 3-Pin D2PAK (TO-263)

    : 45 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4V, Anzahl der Elemente pro Chip: 1, Transistor-Werkstoff: Si.Infineon IPB65R IPB65R045C7ATMA2 N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 46 A, 3-Pin D2PAK (TO-263), Drain-Source-Widerstand max.

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