Infineon OptiMOS BSL215CH6327XTSA1 N/P-Kanal Dual, SMD MOSFET 500 MW, 6-Pin TSOP-6
About The : 1,5 A (N-Kanal), –1,5 A (P-Kanal), Drain-Source-Spannung max.: 0
Infineon OptiMOS BSL215CH6327XTSA1 N/P-Kanal Dual, SMD MOSFET 500 mW, 6-Pin TSOP-6, Channel-Typ: N, P, Dauer-Drainstrom max.: 1,5 A (N-Kanal), –1,5 A (P-Kanal), Drain-Source-Spannung max.: 20 (N-Kanal) V, –20 (P-Kanal) V, Drain-Source-Widerstand max.: 250 mΩ, 280 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 0.6 V, 1.2V, Gate-Schwellenspannung min.: 0.7 V, 1.2V, Transistor-Konfiguration: Isoliert, Gate-Source Spannung max.: -12 V, +12 V, Länge: 2.9mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Infineon OptiMOS BSL215CH6327XTSA1 N/P-Kanal Dual, SMD MOSFET 500 MW, 6-Pin TSOP-6
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Specifications of Infineon OptiMOS BSL215CH6327XTSA1 N/P-Kanal Dual, SMD MOSFET 500 MW, 6-Pin TSOP-6 | |
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