Infineon HEXFET IRFR3411TRPBF N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 32 A 130 W, 3-Pin DPAK (TO-252)
About The : 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.2V
Infineon HEXFET IRFR3411TRPBF N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 32 A 130 W, 3-Pin DPAK (TO-252), Drain-Source-Widerstand max.: 44 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4V, Gate-Schwellenspannung min.: 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Diodendurchschlagsspannung: 1.2V
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Infineon HEXFET IRFR3411TRPBF N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 32 A 130 W, 3-Pin DPAK (TO-252)
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Specifications of Infineon HEXFET IRFR3411TRPBF N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 32 A 130 W, 3-Pin DPAK (TO-252) | |
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