ROHM R6509END3TL1 N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 9 A, 3-Pin DPAK (TO-252)
About The ROHM R6509END3TL1 N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 9 A, 3-Pin DPAK (TO-252), Drain-Source-Widerstand max.: 0,585 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max
ROHM R6509END3TL1 N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 9 A, 3-Pin DPAK (TO-252), Drain-Source-Widerstand max.: 0,585 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4V
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
ROHM R6509END3TL1 N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 9 A, 3-Pin DPAK (TO-252)
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Specifications of ROHM R6509END3TL1 N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 9 A, 3-Pin DPAK (TO-252) | |
|---|---|
| Category | |
| Instock | instock |
