ROHM R8003KNXC7G N-Kanal, THT MOSFET 800 V / 3 A, 3-Pin TO-220FM, Drain-Source-Widerstand max.: 1,8 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4.5V
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ROHM R8003KNXC7G N-Kanal, THT MOSFET 800 V / 3 A, 3-Pin TO-220FM
Specifications of ROHM R8003KNXC7G N-Kanal, THT MOSFET 800 V / 3 A, 3-Pin TO-220FM | |
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