Infineon CoolMOS C7 IPA65R190C7XKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 8 A, 3-Pin TO-220 FP
About The Infineon CoolMOS C7 IPA65R190C7XKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 8 A, 3-Pin TO-220 FP, Drain-Source-Widerstand max.: 4V, Transistor-Werkstoff: Si
Infineon CoolMOS C7 IPA65R190C7XKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 8 A, 3-Pin TO-220 FP, Drain-Source-Widerstand max.: 0,19 O, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4V, Transistor-Werkstoff: Si
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Infineon CoolMOS C7 IPA65R190C7XKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 8 A, 3-Pin TO-220 FP
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Specifications of Infineon CoolMOS C7 IPA65R190C7XKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 8 A, 3-Pin TO-220 FP | |
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