Toshiba IGBT / 30 A ±20V max., 600 V 170 W, 3-Pin TO-3P N-Kanal, Montage-Typ: Durchsteckmontage, Schaltgeschwindigkeit: 1MHz, Transistor-Konfiguration: Einfach, Länge: 15.9mm, Breite: 4.8mm, Höhe: 20mm, Abmessungen: 15.9 x 4.8 x 20mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C, MPN: GT30J121
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > IGBT
Toshiba IGBT / 30 A ±20V Max., 600 V 170 W, 3-Pin TO-3P N-Kanal
Specifications of Toshiba IGBT / 30 A ±20V Max., 600 V 170 W, 3-Pin TO-3P N-Kanal | |
---|---|
Category | |
Instock | instock |