STMicroelectronics TRIAC 16A TO-220AB THT Gate Trigger 1.3V 35mA, 800V, 800V 3-Pin

Name: STMicroelectronics TRIAC 16A TO-220AB THT Gate Trigger 1.3V 35mA, 800V, 800V 3-Pin: STMicroelectronics
Brand: STMicroelectronics
SKU: CAWX-849923
Price: 75.18 EUR
Availability: InStock

About The 4 x 4.3V 35mA, 800V, 800V 3-Pin, Spitzenstrom: 126A, Haltestrom max

STMicroelectronics TRIAC 16A TO-220AB THT Gate Trigger 1.3V 35mA, 800V, 800V 3-Pin, Spitzenstrom: 126A, Haltestrom max.: 40mA, Abmessungen: 10.4 x 4.6 x 15.75mm, Länge: 10.4mm, Breite: 4.6mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C, MPN: T1635T-8T

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Specifications of STMicroelectronics TRIAC 16A TO-220AB THT Gate Trigger 1.3V 35mA, 800V, 800V 3-Pin
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Last Updated December 29th, 2023 02:09 pm

STMicroelectronics TRIAC 16A TO-220AB THT Gate Trigger 1.3V 35mA, 800V, 800V 3-Pin

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Panasonic ERA,, AEC-Q200 Dünnschicht SMD-Widerstand 18kΩ ±0.1% / 0.125W ±25ppm/°C, 0805 (2012M) Gehäuse

125W ±25ppm/°C, 0805 (2012M) Gehäuse, Betriebstemperatur min.

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APEM THT DIP-Schalter 9-stellig 9PST Phosphorbronze 25 mA, bis +85°C

: -40°C, Betriebstemperaturbereich: -40 → +85°C, Nennspannung: 24V dc, Durchschlagsfestigkeit: 500V dc, MPN: NDS-09-V.APEM THT DIP-Schalter 9-stellig 9PST Phosphorbronze 25 mA, bis +85°C, Betätigertyp: erhöhter Betätiger, Betriebstemperatur min.

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Panasonic ERA,, AEC-Q200 Dünnschicht SMD-Widerstand 1.2kΩ ±0.1% / 0.125W ±25ppm/°C, 0805 (2012M) Gehäuse

125W ±25ppm/°C, 0805 (2012M) Gehäuse, Betriebstemperatur min.Panasonic ERA,, AEC-Q200 Dünnschicht SMD-Widerstand 1.: -55°C, Betriebstemperatur max.

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Panasonic ERA,, AEC-Q200 Dünnschicht SMD-Widerstand 1.2kΩ ±0.1% / 0.125W ±25ppm/°C, 0805 (2012M) Gehäuse

1% / 0.: +155°C, MPN: ERA6AEB122V.Panasonic ERA,, AEC-Q200 Dünnschicht SMD-Widerstand 1.

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Panasonic ERA,, AEC-Q200 Dünnschicht SMD-Widerstand 1.2kΩ ±0.1% / 0.125W ±25ppm/°C, 0805 (2012M) Gehäuse

Panasonic ERA,, AEC-Q200 Dünnschicht SMD-Widerstand 1.2kΩ ±0.1% / 0.125W ±25ppm/°C, 0805 (2012M) Gehäuse