Infineon 600V CoolMOS™ C7 N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 13 A, 3-Pin D2PAK (TO-263)
About The : 4V, Transistor-Werkstoff: Si, MPN: IPB60R180C7ATMA1.Infineon 600V CoolMOS™ C7 N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 13 A, 3-Pin D2PAK (TO-263), Drain-Source-Widerstand max
Infineon 600V CoolMOS™ C7 N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 13 A, 3-Pin D2PAK (TO-263), Drain-Source-Widerstand max.: 0,18 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4V, Transistor-Werkstoff: Si, MPN: IPB60R180C7ATMA1
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Infineon 600V CoolMOS™ C7 N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 13 A, 3-Pin D2PAK (TO-263)
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Specifications of Infineon 600V CoolMOS™ C7 N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 13 A, 3-Pin D2PAK (TO-263) | |
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