Infineon HEXFET P-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 14 A, 3-Pin D2PAK (TO-263)
About The Infineon HEXFET P-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 14 A, 3-Pin D2PAK (TO-263), Drain-Source-Widerstand max.: 4V, Transistor-Werkstoff: Si, MPN: IRF9530NSTRLPBF
Infineon HEXFET P-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 14 A, 3-Pin D2PAK (TO-263), Drain-Source-Widerstand max.: 0,2 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4V, Transistor-Werkstoff: Si, MPN: IRF9530NSTRLPBF
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Infineon HEXFET P-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 14 A, 3-Pin D2PAK (TO-263)
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Specifications of Infineon HEXFET P-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 14 A, 3-Pin D2PAK (TO-263) | |
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