IXYS X2-Class IXTH12N65X2 N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 12 A 180 W, 3-Pin TO-247, Drain-Source-Widerstand max.: 300 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4.5V, Gate-Schwellenspannung min.: 2.5V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -30 V, +30 V, Länge: 16.24mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C
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IXYS X2-Class IXTH12N65X2 N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 12 A 180 W, 3-Pin TO-247
Specifications of IXYS X2-Class IXTH12N65X2 N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 12 A 180 W, 3-Pin TO-247 | |
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