Nexperia PBRN123ET,215 SMD, NPN Digitaler Transistor 40 V / 600 MA, SOT-23 (TO-236AB) 3-Pin
About The 2kΩ, Gehäusegröße: SOT-23, TO-236AB, Gleichstromverstärkung min.: 70, Verlustleistung max
Nexperia PBRN123ET,215 SMD, NPN Digitaler Transistor 40 V / 600 mA, SOT-23 (TO-236AB) 3-Pin, Eingangswiderstand typ.: 2,2 kΩ, Basis-Emitter-Widerstand: 2.2kΩ, Gehäusegröße: SOT-23, TO-236AB, Gleichstromverstärkung min.: 70, Verlustleistung max.: 570 mW, Transistor-Konfiguration: Einfach, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung max.: 1,15 V, Basis-Emitter Spannung max.: 10 V
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > Bipolare Transistoren
Nexperia PBRN123ET,215 SMD, NPN Digitaler Transistor 40 V / 600 MA, SOT-23 (TO-236AB) 3-Pin
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Specifications of Nexperia PBRN123ET,215 SMD, NPN Digitaler Transistor 40 V / 600 MA, SOT-23 (TO-236AB) 3-Pin | |
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