Infineon StrongIRFET N-Kanal, THT MOSFET 300 V / 100 A, 3-Pin TO-247, Drain-Source-Widerstand max.: 0,019 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4V, Transistor-Werkstoff: Si, MPN: IRF300P226
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Infineon StrongIRFET N-Kanal, THT MOSFET 300 V / 100 A, 3-Pin TO-247
Specifications of Infineon StrongIRFET N-Kanal, THT MOSFET 300 V / 100 A, 3-Pin TO-247 | |
---|---|
Category | |
Instock | instock |