Infineon StrongIRFET IRF100P218XKMA1 N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 483 A, 3-Pin TO-247
About The 8V, Transistor-Werkstoff: Si.Infineon StrongIRFET IRF100P218XKMA1 N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 483 A, 3-Pin TO-247, Drain-Source-Widerstand max
Infineon StrongIRFET IRF100P218XKMA1 N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 483 A, 3-Pin TO-247, Drain-Source-Widerstand max.: 0,00128 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 3.8V, Transistor-Werkstoff: Si
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Infineon StrongIRFET IRF100P218XKMA1 N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 483 A, 3-Pin TO-247
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Specifications of Infineon StrongIRFET IRF100P218XKMA1 N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 483 A, 3-Pin TO-247 | |
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