ROHM IGBT / 15 A ±30V Max., 1,65 V 133 W, 3-Pin LPDS N-Kanal
About The : –40 °C, MPN: RGT30NS65DGTL.: +175 °C, Betriebstemperatur min
ROHM IGBT / 15 A ±30V max., 1,65 V 133 W, 3-Pin LPDS N-Kanal, Montage-Typ: SMD, Schaltgeschwindigkeit: 1MHz, Transistor-Konfiguration: Einfach, Abmessungen: 10.1 x 9 x 4.5mm, Gate-Kapazität: 780pF, Betriebstemperatur max.: +175 °C, Betriebstemperatur min.: –40 °C, MPN: RGT30NS65DGTL
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > IGBT
ROHM IGBT / 15 A ±30V Max., 1,65 V 133 W, 3-Pin LPDS N-Kanal
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Specifications of ROHM IGBT / 15 A ±30V Max., 1,65 V 133 W, 3-Pin LPDS N-Kanal | |
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