Onsemi QFET FQD13N10TM N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 10 A 2,5 W, 3-Pin DPAK (TO-252)
About The : 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.6mm
onsemi QFET FQD13N10TM N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 10 A 2,5 W, 3-Pin DPAK (TO-252), Drain-Source-Widerstand max.: 180 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.: 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: –25 V, +25 V, Höhe: 2.3mm, Länge: 6.6mm
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Onsemi QFET FQD13N10TM N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 10 A 2,5 W, 3-Pin DPAK (TO-252)
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Specifications of Onsemi QFET FQD13N10TM N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 10 A 2,5 W, 3-Pin DPAK (TO-252) | |
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