IXYS HiperFET, Q-Class IXFK27N80Q N-Kanal, THT MOSFET 800 V / 27 A 500 W, 3-Pin TO-264AA
About The 96mm, Betriebstemperatur max.5V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max
IXYS HiperFET, Q-Class IXFK27N80Q N-Kanal, THT MOSFET 800 V / 27 A 500 W, 3-Pin TO-264AA, Drain-Source-Widerstand max.: 320 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4.5V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Länge: 19.96mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
IXYS HiperFET, Q-Class IXFK27N80Q N-Kanal, THT MOSFET 800 V / 27 A 500 W, 3-Pin TO-264AA
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Specifications of IXYS HiperFET, Q-Class IXFK27N80Q N-Kanal, THT MOSFET 800 V / 27 A 500 W, 3-Pin TO-264AA | |
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