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Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder
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Microchip SST26 Flash-Speicher 64MBit, 8M X 8 Bit, SPI, 8ns, SOIJ, 8-Pin, 2,3 V Bis 3,6 V

About The : +85 °C, Betriebstemperatur min.26 x 5

Microchip SST26 Flash-Speicher 64MBit, 8M x 8 Bit, SPI, 8ns, SOIJ, 8-Pin, 2,3 V bis 3,6 V, Montage-Typ: SMD, Zellen-Typ: Gate teilbar, Länge: 5.26mm, Höhe: 1.98mm, Breite: 5.25mm, Abmessungen: 5.26 x 5.25 x 1.98mm, Betriebstemperatur max.: +85 °C, Betriebstemperatur min.: –40 °C, MPN: SST26VF064BT-104I/SM

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Microchip SST26 Flash-Speicher 64MBit, 8M X 8 Bit, SPI, 8ns, SOIJ, 8-Pin, 2,3 V Bis 3,6 V

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Specifications of Microchip SST26 Flash-Speicher 64MBit, 8M X 8 Bit, SPI, 8ns, SOIJ, 8-Pin, 2,3 V Bis 3,6 V

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Microchip SST26 Flash-Speicher 64MBit, 8M X 8 Bit, SPI, 8ns, SOIJ, 8-Pin, 2,3 V Bis 3,6 V
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Phoenix Contact M23 PRO M23 Rundsteckverbinder Buchse 8-polig Kabelmontage, Crimpanschluss

Phoenix Contact M23 PRO M23 Rundsteckverbinder Buchse 8-polig Kabelmontage, Crimpanschluss

Phoenix Contact M23 PRO M23 Rundsteckverbinder Buchse 8-polig Kabelmontage, Crimpanschluss, MPN: 1628849.

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    • RS PRO, , AEC-Q200 Dünnschicht SMD-Widerstand 560kΩ ±1% / 0.5W, Melf 0207 Gehäuse

    RS PRO, , AEC-Q200 Dünnschicht SMD-Widerstand 560kΩ ±1% / 0.5W, Melf 0207 Gehäuse

    5W, Melf 0207 Gehäuse, Automobilstandard: AEC-Q200 Qualified, Betriebstemperatur min.: -55°C, Betriebstemperatur max.: +155°C.RS PRO, , AEC-Q200 Dünnschicht SMD-Widerstand 560kΩ ±1% / 0.

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    • Panasonic Mikroschalter Scharnierhebel-Betätiger Lötanschluss, 100 mA @ 30 V dc, 1-poliger Wechsler 0,54 N -25°C - +85°C

    Panasonic Mikroschalter Scharnierhebel-Betätiger Lötanschluss, 100 mA @ 30 V dc, 1-poliger Wechsler 0,54 N -25°C - +85°C

    034N, Betriebstemperaturbereich: -25 → +85°C, MPN: AVL322561.Panasonic Mikroschalter Scharnierhebel-Betätiger Lötanschluss, 100 mA @ 30 V dc, 1-poliger Wechsler 0,54 N -25°C - +85°C, Kontaktmaterial: Dreifach vergoldet, Lebensdauer mechanisch: 10^7Operations, Schalt-Lösekraft: 0.

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    • Microchip 2N7000 2N7000-G N-Kanal, THT MOSFET 60 V / 200 mA 1 W, 3-Pin TO-92

    Microchip 2N7000 2N7000-G N-Kanal, THT MOSFET 60 V / 200 mA 1 W, 3-Pin TO-92

    : 0.8V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: 3V, Gate-Schwellenspannung min.

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    • Microchip 2N7000 2N7000-G N-Kanal, THT MOSFET 60 V / 200 mA 1 W, 3-Pin TO-92
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