Onsemi IGBT / 60 A ±30V Max., 650 V 333 W, 3-Pin TO-247 G03 P-Kanal
About The 82mm, Nennleistung: 50mJ, Gate-Kapazität: 3813pF, Betriebstemperatur max.87 x 4
onsemi IGBT / 60 A ±30V max., 650 V 333 W, 3-Pin TO-247 G03 P-Kanal, Anzahl an Transistoren: 1, Montage-Typ: THT, Transistor-Konfiguration: Einfach, Abmessungen: 15.87 x 4.82 x 20.82mm, Nennleistung: 50mJ, Gate-Kapazität: 3813pF, Betriebstemperatur max.: +175 °C, Betriebstemperatur min.: –55 °C, MPN: FGH60T65SQD-F155
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Onsemi IGBT / 60 A ±30V Max., 650 V 333 W, 3-Pin TO-247 G03 P-Kanal
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Specifications of Onsemi IGBT / 60 A ±30V Max., 650 V 333 W, 3-Pin TO-247 G03 P-Kanal | |
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