Vishay N-Channel 80-V SIJH800E-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 80 V / 299 A, 4-Pin PowerPAK 8 X 8 L
About The Vishay N-Channel 80-V SIJH800E-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 80 V / 299 A, 4-Pin PowerPAK 8 x 8 l, Drain-Source-Widerstand max.: 4V
Vishay N-Channel 80-V SIJH800E-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 80 V / 299 A, 4-Pin PowerPAK 8 x 8 l, Drain-Source-Widerstand max.: 0,0018 Ω, Gate-Schwellenspannung max.: 4V
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Vishay N-Channel 80-V SIJH800E-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 80 V / 299 A, 4-Pin PowerPAK 8 X 8 L
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Specifications of Vishay N-Channel 80-V SIJH800E-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 80 V / 299 A, 4-Pin PowerPAK 8 X 8 L | |
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